мягкое переключение транзисторов igbt

Компания Infineon Technologies представила поколение IGBT транзисторов на основе более  тонкой Si подложки (50 мкм), изготовленных по новой технологии TRENCHSTOPTM 5. Эта технология позволяет значительно снизить потери проводимости и коммутации по сравнению с существующими на данный момент технологиями. За счет увеличенного рабочего напряжения 650В, обеспечивается больший запас прочности.

Новые транзисторы IGBT TRENCHSTOP 5 с рабочим напряжением 650В; потери на коммутацию снижены на 60%

var s = document.getElementsByTagName('script')[0]; s.parentNode.insertBefore(ga, s);

ga.src = ('https:' == document.location.protocol ? 'https://ssl' : 'http://www') + '.google-analytics.com/ga.js';

var ga = document.createElement('script'); ga.type = 'text/javascript'; ga.async = true;

jQuery('#LMImage'+id).attr('src', '/images/template/left_menu/btn'+id+'.png');

jQuery('#LMImage'+id).attr('src', '/images/template/left_menu/btn'+id+'_in.png');

Новости - Новые транзисторы IGBT TRENCHSTOP 5 с рабочим напряжением 650В; потери на коммутацию снижены на 60%